ultratev plus的tev读数解释指南-龙8国际官网

       ultratev plus的tev读数解释指南
tev读数 结论
1.高背景读数,即大于20db (a)高水平噪声可能会掩盖开关柜内的放电
(b)可能是由于外部的影响可能时,应该消除外部干扰源再重新测试,或使用局部放电检测仪以识别开关柜中的任何放电。
2.如果开关柜和背景基准的所有读数都小于20db。 无重大放电。每年一次重新检查。
3.开关柜读数比背景水平高10db,且读数大于20db(*值,亦即不是比背景高20db),以及计数值高于50. 很有可能在开关柜内有内部放电活动。
建议用局部放电定位器或局部放电检测仪作进一步的检查。
4.计数的计数率大于1000 在该区域中可能有背景电磁干扰。如果读数大于20db,则建议安装一个局部放电检测仪来识别外部电磁活动。
表面放电可能会产品高的计数率。如果是这样,则会存在超声波信号并可用ultratev plus 来检测到(如果存在空气传播路径的话。)


       tev读数(db)与放电幅值(pc)的关系
       传统的按照 iec60270 标准进行的局部放电检测都是测量放电时高压导体产生的视在电荷量。因此,放电幅值一般是以皮库(pc)来表示。在传统的局部放电检测仪的检测频率(一般为 10 - 300khz)上,各种高压仪器(除长电缆外)都可以等效为集中电容。tev 测量则是在 3 - 100mhz 的频率范围内进行。在这些频率上,高压电力仪器更近似传输线而不是电容器。电压/时间曲线下方的区域面积与放电过程中的电荷转移量成正比。tev 传感器测量被测瞬态过程的峰值电压,而不是曲线下方的区域面积。因此,它不是直接测量电荷。另外,所测量的是在金属面板外表面上检测到的波峰, 这只是面板内部信号的一部分而已。当脉冲沿着金属铠装的外表面传播时,它*会散开即在时域上展开。同时曲线下方的区域面积又保持不变,这样脉冲幅值*会减小。因此,脉冲被检测到的地方离放电源越远 ,则衰减*越大。显然,db 和 pc 之间的关系取决于多种因素,其中大多数都是不可量化的。

       db-pc参考指南,靠近25kv电缆终端处
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       混合物填充式11kv配电电缆端头箱的db-pc参考指南
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